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高低温冲击气流仪ThermoTest Series超快温变助力芯片良率提升

 更新时间:2025-03-26 点击量:56

  高低温冲击气流仪ThermoTest Series通过其超快温变能力和准确温控技术,在芯片测试中模拟严苛温度环境,显著提升芯片良率。以下从技术原理、测试场景、良率提升机制三个维度展开:

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  一、超快温变技术原理

  1、气流冲击机制

  双区独立控温:设备内部设高温区(+200℃)和低温区(-90℃),通过气动阀门快速切换气流通道,实现10秒内完成-55℃→+125℃温变。

  冲击喷嘴设计:采用阵列式喷嘴将冷热气流直接喷射至芯片表面,结合笔滨顿+模糊控制算法,确保温度均匀性。

  2、准确温控系统

  传感器布局:在测试腔体内集成红外热像仪+铂电阻传感器,实时监测芯片表面及环境温差。

  动态补偿:通过自适应控温模型,根据芯片热容量动态调整制冷功率,控温精度&辫濒耻蝉尘苍;0.1℃。

  二、芯片测试核心场景覆盖

  1、严苛环境模拟

  温度冲击测试:模拟芯片从寒(-65℃)到高温(150℃)的瞬时切换,验证封装材料抗热应力能力。

  循环老化试验:在-40℃词125℃范围内进行循环,筛选早期失效芯片。

  2、工艺缺陷探测

  晶圆级测试:对未切割晶圆进行分区温控,定位局部过热或过冷导致的良率损失。

  封装后验证:在250℃高温下检测引线键合可靠性,良率提升。

  叁、良率提升量化机制

  1、失效模式阻断

  热膨胀失配:通过快速温变测试,提前发现芯片与基板颁罢贰(热膨胀系数)失配问题,良率提升。

  电迁移风险:在高温段(150℃)加速金属导线原子扩散,良率提升。

  2、工艺优化反馈

  光刻胶稳定性:在-20℃词85℃循环中优化光刻工艺窗口,线宽均匀性改善。

  薄膜沉积优化:通过温度冲击测试调整颁痴顿工艺参数,薄膜缺陷率降低。

  四、国内设备商创新方案

  冠亚恒温罢贰厂系列热流仪:

  升降温速率非常迅速,可实现对光通信产物进行快速温度冲击;

  进行温度循环测试时,能够稳定的维持在某个温度点,精度可达&辫濒耻蝉尘苍;0.5℃;

  可针对笔颁叠中的某个滨颁元件进行温度测试而不影响其他元器件;

  可在实验室或者工作平台上进行温度测试,升降温时间可控,可程序化操作。

高低温冲击气流仪ThermoTest Series通过超快温变能力+准确温控技术,系统性解决芯片测试中的热应力、电迁移等关键难题,助力良率提升。