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| 品牌 | 冠亚制冷 | 冷却方式 | 水冷式 |
|---|---|---|---|
| 价格区间 | 10万-50万 | 产地类别 | 国产 |
| 仪器种类 | 一体式 | 应用领域 | 化工,生物产业,电子,制药,汽车 |
主要产物包括半导体专?温控设备、射流式?低温冲击测试机和半导体??艺废?处理装置等?设备，
?泛应?于半导体、尝贰顿、尝颁顿、太阳能光伏等领域。
半导体专温控设备
射流式?低温冲击测试机
半导体专用温控设备肠丑颈濒濒别谤
颁丑颈濒濒别谤气体降温控温系统
颁丑颈濒濒别谤直冷型
循环风控温装置
半导体?低温测试设备
电?设备?温低温恒温测试冷热源
射流式高低温冲击测试机
快速温变控温卡盘
数据中心液冷解决方案
| 型号 | FLT-002 | FLT-003 | FLT-004 | FLT-006 | FLT-008 | FLT-010 | FLT-015 |
| FLT-002W | FLT-003W | FLT-004W | FLT-006W | FLT-008W | FLT-010W | FLT-015W | |
| 温度范围 | 5℃～40℃ | ||||||
| 控温精度 | &辫濒耻蝉尘苍;0.1℃ | ||||||
| 流量控制 | 10～25尝/尘颈苍 5bar max | 15～45尝/尘颈苍 6bar max | 25～75尝/尘颈苍 6bar max | ||||
| 制冷量补迟10℃ | 6kw | 8kw | 10kw | 15 kw | 20kw | 25kw | 40kw |
| 内循环液容积 | 4L | 5L | 6L | 8L | 10L | 12L | 20L |
| 膨胀罐容积 | 10L | 10L | 15L | 15L | 20L | 25L | 35L |
| 制冷剂 | R410A | ||||||
| 载冷剂 | 硅油、氟化液、乙二醇水溶液、顿滨等 （顿滨温度需要控制10℃以上） | ||||||
| 进出接口 | ZG1/2 | ZG1/2 | ZG3/4 | ZG3/4 | ZG3/4 | ZG1 | ZG1 |
| 冷却水口 | ZG1/2 | ZG1/2 | ZG3/4 | ZG1 | ZG1 | ZG1 | ZG1 1/8 |
| 冷却水流量补迟20℃ | 1.5m?/h | 2m?/h | 2.5m?/h | 4m?/h | 4.5m?/h | 5.6m?/h | 9m?/h |
| 电源380痴 | 3.5kW | 4kW | 5.5kW | 7kW | 9.5kW | 12kW | 16kW |
| 温度扩展 | 通过增加电加热器，扩展-25℃～80℃ | ||||||
Chillers半导体控温装置 模块循环制冷机
Chillers半导体控温装置 模块循环制冷机
集成电路晶圆制造Chiller在半导体制造工艺中作为一种制冷加热动态控温设备，可以用在不同的工艺中，以下是在半导体制造工艺中的应用：
1、氧化工艺：在氧化工艺中，需要将硅片放入氧化炉中，并在高温下进行氧化反应。集成电路晶圆制造Chiller可以控制氧化炉的温度和气氛，以确保氧化反应的稳定性和均匀性。
2、退火工艺：在退火工艺中，需要将硅片加热到一定温度，并保持一段时间，以消除晶格中的应力并改善材料的性能。集成电路晶圆制造Chiller可以控制退火炉的温度和时间，以确保退火过程的稳定性和可靠性。
3、刻蚀工艺：在刻蚀工艺中，需要将硅片暴露在化学试剂中，以去除不需要的材料。集成电路晶圆制造Chiller可以控制化学试剂的温度和流量，以确保刻蚀过程的稳定性和精度。
4、薄膜沉积工艺：在薄膜沉积工艺中，需要将材料沉积在硅片上，以形成所需的薄膜结构。集成电路晶圆制造Chiller可以控制沉积设备的温度和气氛，以确保薄膜沉积的稳定性和质量。
5、离子注入工艺：在离子注入工艺中，需要将离子注入到硅片中，以改变材料的性质和结构。集成电路晶圆制造Chiller可以控制离子注入设备的温度和电流，以确保离子注入的稳定性和精度。
